E porçellañe de carburo de siliçio (SiC) an de caratteristiche eccellente comme unna fòrte rexistensa d’oscidaçion, unna rexistensa a-a boña desgasto, unn’erta duessa, unna boña stabilitæ termica, unn’erta rescistensa a-a temperatua, un coeffiçente piccin de l’espanscion termica, erta conduttivitæ termica, rescistensa a-i shock termichi e corroxon chimica. da-e persoñe {1} Pe fâ un exempio, a porçellaña SiC a peu ëse deuviâ comme portæ varie, balle, boxe, guarniçioin, attressi de taggio, lamme de turbine de gas, rotoî de turbocarregatô, schermi riflettivi e fodera da camia de combuscion do razzo en
E propietæ eccellente de porçellañe SiC en ligæ streitamente a-e seu struttue uniche • SiC SiC son un compòsto con un fòrte ligamme covalente, e a ioniçitæ do ligamme Si-C inte SiC a l’é solo che o 12% pöcassæ, SiC o l’à unn’erta fòrsa, un mòdolo elastico e eccellente de l’usura de l’us E soluçioin HF e alcaliñe comme NaOH. L’oscidaçion a l’é façile da avvegnî quande se rescäda inte l’äia, ma o SiO2 o l’é formou in sciâ superfiçie o l’inibià l’atra diffuxon d’oscigeno durante l’oscidaçion, donca o tasso d’oscidaçion o no l’é erto en erti in termini de propietæ elettriche, e l’introduçion de unna quantitæ picciña d’impurto conduttivitæ{12}}
SiC o l’à e Doe forme de cristallo. : A struttua de cristallo de SiC a l’é o scistema cubico, e o modello Si e C co-a faccia çentrâ in sciâ faccia rispettivamente; : Gh’é ciù de 100 politipi de SiC, comme 4H, 15R e 6H, tra-o quæ o politipo 6H o l’é quello ciù commun inte l’applicaçion industriâ Gh’é unna çerta relaçion termica tra varie forme de SiC{7} Quande a temperatua a l’é ciù bassa che o 1600 graddi , SiC SiC o l’existe. , : . SiC o se trasforma pian pianin inte di politipi Varioxi de SiC{11}H SiC o l’é façile da formâ à 2000 graddi pöcassæ ; Tanto i politipi de 15R comme 6H en façili da formâ à erta temperatua ciù erta che 2100 graddi ; Pe 6H SiC, l’é ben ben stabile ascì se a temperatua a scompassa 2200 graddi {18} A differensa tra e energie libere de diversci politipi inte SiC a l’é assæ picciña, a soluçion sòlida de impuritæ de tracce a pròvochià ascì di cangi inta relaçion di politipi termichi tra i politipi.
